
Polovodičové diódy sú základné elektronické súčiastky, ktoré hrajú kľúčovú úlohu v mnohých elektronických obvodoch. Ich hlavnou charakteristikou je schopnosť viesť elektrický prúd iba v jednom smere. Tento článok sa zameriava na princíp PN prechodu v nepriepustnom smere, jeho definíciu a súvisiace javy.
PN priechod vzniká spojením dvoch typov polovodičov: polovodiča typu P a polovodiča typu N. Polovodič typu P vzniká pridaním trojmocného prvku do kryštalickej štruktúry polovodiča, čím vznikajú majoritné kladné nosiče náboja, tzv. diery. Naopak, polovodič typu N vzniká pridaním päťmocného prvku, čo vedie k vzniku majoritných záporných nosičov náboja, teda elektrónov.
V obidvoch polovodičových vrstvách sa primárne uvažujú majoritné nosiče náboja. Ak sa pripojí napätie s kladnou polaritou na vrstvu P, kladné diery sú odpudzované od kladnej elektródy smerom k rozhraniu medzi vrstvami P a N. Zároveň sú záporné elektróny z vrstvy N vytláčané k rozhraniu. V tomto prípade, diery prenášajú náboj vo vrstve P a elektróny prenášajú náboj vo vrstve N, čo umožňuje priechod prúdu. Tento stav sa nazýva priepustný smer.
Naopak, ak sa pripojí zdroj napätia s opačnou polaritou, kladné diery z vrstvy P priľnú k zápornej elektróde a záporné elektróny z vrstvy N priľnú ku kladnej elektróde. Na rozhraní medzi vrstvami sa vytvorí pásmo bez voľných nosičov náboja, čo vedie k elektrickej nevodivosti. Tento stav sa nazýva nepriepustný smer.
V nepriepustnom smere, kladné diery z vrstvy P sú priťahované k zápornému pólu zdroja a elektróny z vrstvy N sú priťahované ku kladnému pólu zdroja. Týmto sa majoritné nosiče vzďaľujú od PN prechodu, čím sa rozširuje oblasť bez nosičov (depletion region).
Prečítajte si tiež: Podmienky prechodu dôchodku
Keď k PN priechodu nie je pripojený vonkajší zdroj napätia, na rozhraní vrstiev P a N dochádza k rekombinácii kladných dier a záporných elektrónov. Táto rekombinácia vedie k úbytku elektrónov vo vrstve N a úbytku dier vo vrstve P. Následkom toho sa priechod polarizuje a medzi vrstvami vzniká potenciálový rozdiel.
S pribúdajúcou rekombináciou sa potenciálový rozdiel zväčšuje, až kým elektrické pole, ktoré vznikne na priechode, nezačne rekombinácii brániť. Toto elektrické pole odďaľuje elektróny od rozhrania vo vrstve N a vytláča diery z rozhrania vo vrstve P. Medzi vrstvami sa vytvorí pásmo bez voľných nosičov, nazývané potenciálová bariéra.
Hoci v nepriepustnom smere diódou prechádza iba nepatrný prúd, nie je úplne nulový. Je to spôsobené prítomnosťou minoritných nosičov v obidvoch polovodičových vrstvách. V polovodiči typu P sa okrem majoritných dier vyskytujú aj minoritné elektróny a v polovodiči typu N sa okrem majoritných elektrónov vyskytujú aj minoritné diery. Tieto minoritné nosiče sú príčinou malého spätného prúdu.
Potenciálová bariéra vytláča majoritné nosiče od rozhrania, ale zároveň priťahuje minoritné nosiče k rozhraniu, čo umožňuje ich tok cez priechod a vytvára malý spätný prúd.
Schopnosť PN priechodu viesť prúd iba v jednom smere má zásadný význam pre fungovanie mnohých elektronických zariadení. Diódy sa využívajú napríklad v usmerňovačoch, kde transformujú striedavý prúd na jednosmerný prúd. Tiež sa používajú v rôznych typoch spínacích obvodov a ochranných obvodov.
Prečítajte si tiež: Kompletný sprievodca prechodom na starobný dôchodok
Pre lepšie pochopenie funkcie PN priechodu je užitočné poznať aj ďalšie súvisiace koncepty:
Prečítajte si tiež: Oznamovacia povinnosť pri rodičovskom príspevku
tags: #pn #prechod #nepriepisny #smer #definícia